삼성전자 ′울고′ SK하이닉스 ′웃고′

삼성전자 '울고' SK하이닉스 '웃고': 최영준 기자 / 기사승인 : 2024-11-05 08:00:10

격차 벌어진 삼성전자와 SK하이닉스…향후 전망은?

▲ SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋 2024’에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로’를 주제로 기조연설을 진행하고 있다. <사진=SK하이닉스>

[토요경제 = 최영준 기자] 올해 3분기 SK하이닉스가 영업이익을 크게 올리면서 삼성전자 반도체 사업 부문을 넘어섰다. 삼성전자가 4분기에도 위기를 지속할 경우, 영업이익을 회복하지 못하면서 사상 처음으로 SK하이닉스에게 연간 영업이익이 뒤처질 것으로 관측된다. 현재 올해 1~3분기 합산 영업이익은 SK하이닉스가 3조원 넘게 앞서고 있다.

삼성전자는 지난 31일 연결 기준 올해 3분기 실적을 공시했다. 그중 반도체 사업을 담당하는 DS부문 매출액 29조27000억원, 영업익 3조8600억원을 기록했다.

반면 SK하이닉스는 3분기에만 7조300억원에 달하는 영업익을 거두면서 역대 최대 분기 실적을 뛰어넘었다. 반도체 슈퍼 호황기라고 일컬었던 2018년 3분기(6조4724억원)보다 높은 수치다.

앞서 상반기까지만 하더라도 삼성전자 DS부문 영업익 8조3600억원, SK하이닉스 8조3545억원으로 삼성전자 DS부문이 더 높은 누적 영업익을 기록하고 있었다. 하지만 3분기 HBM 등 고부가 가치 제품의 성패에 따라 삼성전자 DS부문 12조2200억원, SK하이닉스는 15조3845억원의 영업익을 거두면서 SK하이닉스가 앞서게 됐다.

SK하이닉스는 지난 3월 글로벌 인공지능(AI) 시장이 커지면서 고성능 메모리 수요가 폭발적으로 늘어나게 된 시점에 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM3E 8단’ 제품 양산에 성공하면서 AI 시장에서 가장 큰 손인 엔비디아에 대부분의 납품 물량을 소화해 내고 있다. 이후 실적이 급격하게 늘어나기 시작했다.

삼성전자는 올해 1~2분기 동안 메모리 부문에서 AI‧서버용 수요 증가에 맞춰 HBM과 DDR5, SSD 등 고부가가치 제품 판매를 지속적으로 확대해 왔다. 하지만 엔비디아 제품을 제공하지 못하는 사이 중국 메모리 업계의 범용 제품 출하가 늘어나면서 수익성 하락을 피하지 못했다.

▲ 젠슨 황 엔비디아 CEO가 삼성 HBM3E에 남긴 사인 <한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처>

3분기 반전의 성적표를 받아 든 삼성전자와 SK하이닉스는 4분기와 그 이후에도 고부가 제품 투자에 더욱 집중할 것으로 전망된다.

양사 모두 HBM과 DDR5, SSD 등 고부가가치 메모리의 수익성이 얼마나 큰지 확인한 만큼 기존 범용 메모리 라인을 HBM 라인으로 전환하는 데 시설 투자를 아끼지 않고 있다.

먼저 삼성전자는 연말까지 올해 누적으로 반도체 사업에 47조9000억원대 시설투자를 집행할 계획이다.

삼성전자는 “반도체 위탁생산(파운드리) 시황을 고려해 전체적인 투자 규모는 줄었지만, 메모리 관련 투자는 지난해와 비슷한 수준을 유지할 것”이라고 설명했다.

삼성전자는 올해 4분기엔 HBM3E 제품이 전체 HBM 매출 중 절반 이상을 차지할 것이라고 기대하고 있는 상황이다.

삼성전자는 “HBM3E 8단‧12단 제품을 양산‧판매하고 있다”며 “예상보다 주요 고객사향 사업화가 지연됐지만 주요 고객사의 퀄(품질테스트) 과정에서 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고, 4분기 중 판매 확대가 전망된다”고 설명했다.

더불어 HBM4 제품 역시 내년 하반기 양산을 목표로 개발을 진행하고 있다.

삼성전자는 “메모리는 AI와 연계된 데이터센터 투자 등으로 고용량·고성능 제품 수요 증가가 예상되는 바 첨단공정 비중을 확대해 나갈 계획”이라며 “HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 (내년) 하반기에 개발·양산을 진행할 예정이고 서버용 128㎇ 이상 DDR5, 모바일·PC·서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대할 예정”이라고 전했다.

SK하이닉스 역시 올 연말까지 누적으로 10조 중후반대 투자를 단행한다. 내년에도 이어서 10조 후반대의 시설 투자를 예고했다.

특히 내년에는 투자 방향에 대해 “범용 제품 생산을 줄이고 고가의 DDR5·LPDDR5 양산을 늘리기 위한 전환 투자를 고려하고 있다”며 “올해보다 (시설투자 규모가) 소폭 증가할 것으로 예상된다”고 설명했다.

SK하이닉스는 지난달 HBM3E 12단 제품을 세계 최초로 양산에 성공했으며 4분기 출하를 목표로 잡고 있다.

이어서 내년 초에는 업계 최대 용량·최고층의 ‘48㎇ HBM3E 16단’ 제품 양산에 돌입해 고객사에 샘플을 제공할 예정이다.

HBM4 제품 역시 내년 하반기 중 출시를 목표로 개발을 진행 중이다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 지난 4일 열린 ‘SK AI 서밋’에서 “HBM4부터 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정을 도입할 예정으로 글로벌 1위 파운드리 협력사(대만 TSMC)와의 ‘원팀 파트너십’을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다”고 강조하기도 했다.