SK하이닉스, 가장 빠른 ‘10나노급 5세대 DDR5’ 개발 완료

SK하이닉스, 가장 빠른 ‘10나노급 5세대 DDR5’ 개발 완료: 최영준 기자 / 기사승인 : 2023-05-30 10:24:46

▲ 경기 이천시에 위치한 SK하이닉스 <사진=토요경제 제공>

SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료했다.

SK하이닉스는 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)’ 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.

이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 ‘제온 스케일러블 플랫폼’에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식적으로 인증한다.

이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작 속도가 6.4Gbps(초당 기가비트)로, 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 가장 빠른 속도를 가지고 있다. 초창기 DDR5 제품들 보다 33% 향상된 수치다.

또 이번 1b DDR5에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다.

HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다.

SK하이닉스는 “1b 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전력효율을 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것이다”고 강조했다.

김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM개발담당)은 “올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속할 것”이라고 밝혔다.

한편, SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 함께 진행하고 있다고 밝혔다.