▲ 장태수 SK하이닉스 부사장 <사진=SK하이닉스>

[토요경제 = 최영준 기자] SK하이닉스 장태수 부사장(미래기술연구원 산하 담당)이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소(이하 대한상의)에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다.

장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다고 SK하이닉스는 설명했다.

장태수 SK하이닉스 부사장은 20일 뉴스룸 인터뷰에서 “이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스의 기술 우위를 확고히 다질 것”이라며 “차세대 기술 개발을 통해 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다하겠다”고 수상 소감을 밝혔다.

장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술과 소자 연구에 집중해온 전문가로, 44나노부터 10나노에 이르는 10세대 기술 개발에 핵심적으로 참여했다.

특히 ‘1c D램 개발 태스크포스(TF)’에서 소자 총괄 리더를 맡아 세계 최초로 최단기간 내 1c DDR5 D램 개발을 이끌었다.

1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이면서 전력 소비를 줄이는 첨단 기술로, 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 산업의 필수 요소로 꼽힌다.

장 부사장은 “초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있다”고 평가했다.

이 기술은 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 성능 향상에도 기여할 것으로 기대된다. D램 셀 크기를 줄이면 HBM의 칩 크기와 높이를 유지하면서도 용량을 증가시킬 수 있고, 내부 설계를 최적화해 다양한 기능을 추가하는 것이 가능해진다.

장 부사장은 “미세화를 통해 작아진 칩과 감소한 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다”며 “이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속할 것으로 예상한다”고 말했다.

또한, 데이터 저장을 담당하는 커패시터의 면적 확보를 위해 고유전율 소재와 새로운 구조의 커패시터 개발에 주력하고 있다며 미세공정 혁신에 속도를 내겠다는 계획도 밝혔다.

그는 “소통을 통해 서로의 실패를 공유하고 그것을 교훈 삼아 성장하는 문화를 조직에 내재화했다”며 “1c DDR5 D램은 이 문화 속에서 완성될 수 있었다”고 강조했다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

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