[토요경제=신유림 기자] 삼성전자가 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, 이하 HKMG)' 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.

DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량, 고성능, 저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등에 핵심 역할을 맡을 전망이다.

DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다.

HKMG를 적용한 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모를 13% 감소시켰다.

또한 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV 기술을 적용했다.

삼성전자는 고용량 메모리 시장 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.

삼성전자는 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 "DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 밝혔다.

인텔 메모리 & IO 테크놀로지 총괄 VP 캐롤린 듀란(Carolyn Duran)은 "인텔은 인텔 제온 스케일러블 (Intel® Xeon® Scalable) 프로세서인 사파이어 래피즈(Sapphire Rapids)와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다"고 밝혔다.

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