삼성전자가 반도체 ‘초격차’를 벌리기 위해 차세대 D램 공정에 메모리 업계 최초로 ‘드라이 레지스트’ 기술을 적용하는 방안을 검토하고 있다.

9일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS) 부문은 10나노급 6세대 D램에 신기술인 드라이 레지스트를 도입하기 위해 자체 평가를 진행하고 있는 것으로 알려졌다.

취재: 최영준 기자
영상편집: 조영남 기자

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