▲ 조현동 주미대사가 3일(현지시간) 인디애나주 웨스트 라파예트에 위치한 퍼듀대학교에서 개최된 SK하이닉스 투자 발표 행사에 참석해 축사했다. <사진=주미한국대사관>

SK하이닉스가 38억7000만달러(약 5조2000억원)를 투입해 미국 인디애나주에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지를 건설한다고 4일 밝혔다.

SK하이닉스는 3일(현지시간) 미국 인디애나주 웨트스라피엣 소재 퍼듀대학교에서 투자협약식을 열고 이같은 계획을 발표했다. 2028년 하반기부터 인디애나 공장에서 차세대 HBM(High Bandwidth Memory) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다. HBM은 고성능과 저전력 특성을 갖춘 최신 반도체 기술로 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 만든 고성능 메모리다. AI시대 필수재로 손꼽힌다. 

SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 최적의 부지를 물색해 왔다. 다양한 후보지를 검토한 끝에 SK하이닉스는 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했다. 

주 정부가 투자 유치에 적극적으로 나서기도 했지만, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부하고 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대학교가 자리하고 있기 때문이다. 

SK하이닉스 측은 “인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다”며 “글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는데 앞장 서겠다”고 말했다.

이날 투자발표 행사는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 CEO 등 경영진이 참석했다.

곽노정 대표는 “반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다”며 “이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것”이라고 말했다.

한편 SK하이닉스는 경기도 용인에 120조원을 투자해 반도체 클러스터는 부지 조성 공사를 진행하고 있다. SK하이닉스는 2027년 완공을 목표로 내년 3월 첫 팹(FAB, 반도체 제조시설)을 착공에 나선다. 소재·부품·장비 생태계를 강화하기 위해 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 미니팹도 건설할 계획이다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

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