▲ 삼성전자 평택캠퍼스 <사진=평택시>

[토요경제 = 최영준 기자] 삼성전자가 최근 급증하는 메모리 수요에 대응하기 위해서 평택 4공장에 6세대 D램 생산라인을 구축한다. 이로써 삼성전자는 최근 P4 낸드플래시에 이어 D램 라인 투자까지 확정했다.

12일 업계에 따르면 삼성전자는 P4에 D램 공정 장비 반입을 준비 중인 것으로 알려졌다. 이곳에서 생산될 6세대 D램은 ‘1c’로 불리는 10나노미터(㎚) 초반대인 차세대 D램이다. 내년 6월 중 가동하는 것을 목표로 한다.

6세대 1c D램은 아직 세계 시장에서 상용화되지 않은 제품이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 한발 먼저 양산을 준비하면서 앞으로 불어날 메모리 수요를 소화해낼 계획이다.

삼성전자의 이번 투자는 차세대 D램을 본격적으로 양산하고 출하하기 위한 것으로 분석된다. 삼성전자는 올 연말부터 1c D램을 생산할 예정이다.

삼성전자는 지난 2022년 P4 착공을 시작하고 올해에 가동하는 것을 목표로 했었다. P4는 전력과 수도 등 인프라 단계까지는 모두 완료했지만 반도체 경기 침체로 생산라인을 구축하지는 않았다. 그러나 지난해 하반기부터 반도체 시장이 다시 일어서자 삼성전자는 올해 중순께부터 시설 증설 및 투자 기조로 돌아섰다.

이에 삼성전자는 먼저 P4에 낸드플래시 설비를 들이기 시작했다. 여기에 이번에는 1c D램 생산 설비까지 들이게 됐다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 평균 D램 가격은 53% 증가할 것으로 예측된다. 최근 반도체 업계는 서버 시장이 커지면서 D램 수요가 늘어나는 추세다. 삼성전자는 P4를 가동하게 되면서 2024년 35%의 성장을 이뤄낼 것으로 전망된다.

삼성전자가 1c D램에 투자하는 이유로는 HBM의 영향도 있다. 삼성전자는 내년 하반기 출하를 목표로 하는 HBM4(6세대)에 해당 램을 활용할 방안을 검토중인 것으로 알려졌다.

목표한대로 HBM4에 1c D램이 탑재될 경우 P4는 차세대 HBM 생산의 요충지가 될 가능성이 크다.

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