▲ SK하이닉스 이천 캠퍼스 M16 전경 <사진=SK하이닉스>

[토요경제 = 최영준 기자] SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 ‘High NA EUV’ 장비를 이천 M16 팹(Fab)에 반입했다고 3일 밝혔다.

이날 열린 기념 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 부사장(미래기술연구원장·CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석했다.

High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)는 기존 EUV보다 큰 개구수(NA)를 적용해 해상도를 크게 끌어올린 차세대 노광 장비다.

현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대된다.

이번에 도입된 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다.

기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)을 적용해 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하며, 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 장비를 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보한다는 방침이다. 이를 통해 고부가가치 메모리 시장에서 기술 리더십을 더욱 강화할 수 있을 것으로 내다봤다.

회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 적용한 이후 첨단 D램 제조에 활용 범위를 넓혀왔다.

그러나 미래 반도체 시장이 요구하는 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 기술을 뛰어넘는 장비가 필요했고 High NA EUV 도입을 통해 새로운 전환점을 마련했다.

ASML코리아 김병찬 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다.

차선용 SK하이닉스 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 강조했다.

토요경제 / 최영준 기자 cyj@sateconomy.co.kr 

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